我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器

在江山973布署、国家自然科学基金委员会重大项目等帮助下,中科院半导体所牛智川研讨员团队深远切磋锑化学物理半导体材质的底工物理、异质结低维质地外延生长和光电器件的计划本事等,突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等主导工艺技能。在那底蕴上,商讨团队改革设计金属光栅趋势耦合布满反馈(LC-DFB)构造,成功达成了2μm波段高质量单模激光器,边模制止比高达53dB,是时下同类器件的最高值;并且输出功率到达40mW,是现阶段同类器件的3倍以上。在锑化学物理量子阱大功率激光器方面,
FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别完成1.62瓦和16瓦的常温连续失败出功率,综合质量达到国际一流水准并突破国外高档激光器进口节制质量的鲜明条目款项。

该成果引起国际学术界和产业界布满关心,《化合物半导体》杂志探究“该单模激光器开创性提高边模制止比,为天基卫星载LIDA逍客系统和气体格检查测系统提供了有竞争性的光源器件”。该研商成果排除了短波红外激光器领域关键技艺,在一触即发气体格检查测、情况监测、医治与激光加工等众多高新行业有着特别广阔的行使价值。

锑化学物理元素半导体材质在红外制导、海洋监测、深空探求等领域有所重要性应用前途,随着锑化学物理多成分复杂低维材料分子束外延技艺的不断进步,国际上锑化学物理元素半导体相关的资料与光电器件手艺立异发展十三分急忙,美、日、德等发达国家竞相展开研讨,广为人人注意。

You may also like...

相关文章

发表评论

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注

网站地图xml地图